Dr. Andrei Gorbatchev


Educación

1994 Ph.D. – Instituto Físico-Técnico A.F. Ioffe, St. Petersburgo, Rusia. Titulo de tesis: "Development of high-power single-mode SCH SQW InGaAsP/InP and InGaAsP/GaAs laser diodes and study of their lasing and dynamic characteristics".

1989 M.Sc. – Universidad del Estado Saratov, Saratov, Rusia. Título de tesis: "Super-high frequency modulation in semiconductor diodes with Shottky-barrier ".


Áreas de intereses científicos

  • Crecimiento de capas epitaxiales por epitaxia en fase líquida a base de sistemas semiconductores III-V y estudio de diagramas de fases líquida-sólida. Particularmente las investigaciones están dedicados a los estudios de formación de  capas epitaxiales de bajas dimensiones en condiciones alejados de estado de equilibrio.
  • Caracterización de las propiedades electro-ópticas de los materiales semiconductores que incluye las mediciones de los espectros de fotoluminiscencia en el rango infrarrojo de longitudes de onda, las mediciones de los espectros de difracción por Rayos-X.
  • Tecnología de fabricación de dispositivos opto-electrónicos por epitaxia en fase líquida que incluye el crecimiento de heteroestructuras y procesos de post-crecimiento: fotolitografía, deposición de contactos.
  • Caracterización de dispositivos opto-electrónicos así como diodos láser y diodos emisores de luz: electroluminiscencia, I-V y C-V mediciones.

Resultados de trabajo fueron publicados en las revistas de circulación internacional y presentados en congresos internacionales.

Profesor de las facultades de Ciencias y de Ingeniería Eléctrica impartiendo cursos a los alumnos de los niveles de Licenciatura y Posgrado de la UASLP.


email: andre@cactus.iico.uaslp.mx