Dr. Jorge Ortega Gallegos



Escolaridad

Educación Profesional en Ingeniería Mecánica 1998-2002.                   

Maestría en Ciencias Aplicadas con especialidad en Fotónica. 2003-2008  Instituto de Investigación en Comunicación Optica, UASLP. San Luís Potosí

Doctorado en Ciencias Aplicadas con especialidad en Fotónica.

 

Artículos Publicados

Yu A. Kosevich, J. Ortega Gallegos, A. G. Rodríguez, L. F. Lastras Martínez, A. Lastras Martínez "Giant reflectance anisotropy of polar cubic semiconductors in the far infrared". Physica Status Solidi (c), 0, No. 8 (2003), 2982.

A. Lastras-Martínez, I. Lara-Velázquez, R.E. Balderas-Navarro, J. Ortega- Gallegos and L.F. Lastras-Martínez, "Reflectance Difference Spectroscopy as an optical probe for the in situ determination of doping levels in GaAs", MEP 2006, 7-11 November 2006, Guanajuato, Guanajuato, México.

A. Lastras-Martínez, I. Lara-Velázquez, R.E. Balderas-Navarro, J. Ortega- Gallegos and L.F. Lastras-Martínez, "Reflectance-difference Spectroscopy as an optical probe for the in situ determination of doping levels in GaAs". Sixth Symposium Optics in Industry, edited by Julio C. Gutiérrez-Vega, Josué Dávila-Rodríguez, Carlos López-Mariscal, Proc. of SPIE Vol. 6422, 64221H,  (2007).

J. Ortega-Gallegos, A. Lastras-Martínez, L. F. Lastras-Martínez, and R. E. Balderas-Navarro "Reflectance-Anisotropy study of the dynamics of Molecular Beam Epitaxy growth of GaAs and InGaAs on GaAs (001)". Physica Status Solidi (c), (2008).

J. Ortega-Gallegos, A. Lastras-Martínez, L. F. Lastras-Martínez, and R. E. Balderas-Navarro "Optical Anisotropy induced by Mechanical Strain around the Fundamental Gap of GaAs". Physica Status Solidi (c), (2008).

L.F. Lastras-Martínez, J. Ortega-Gallegos, R.E. Balderas-Navarro, J. M. Flores-Camacho, M. E. Chavira-Rodríguez, A. Lastras-Martínez, and M. Cardona "Surface strain contributions to the lineshapes of reflectance difference spectra for one-electron and discrete-exciton transitions ". Physica Status Solidi (c), (2008).

Lastras-Martínez, I. Lara-Velázquez, R.E. Balderas-Navarro, J. Ortega- Gallegos, S. Guel-Sandoval and L.F. Lastras-Martínez. "Reflectance- Difference Spectroscopy as an optical probe for in situ determination of doping levels in GaAs". Physica Status Solidi (c), (2008).

L. F. Lastras-Martínez, R.E. Balderas-Navarro, J. Ortega-Gallegos, and A. Lastras-Martínez, J. M. Flores-Camacho and K. Hingerl. "One electron and discrete excitonic contributions to the optical response of semiconductors around E1 transition: analysis in the reciprocal space". Journal of the Optical Society of America B, Vol. 26 N.4, April 2009.

J. V. González-Fernández, R. E. Balderas-Navarro, I. Lara-Velázquez, J. Ortega-Gallegos, R. Díaz de León-Zapata, L. F. Lastras-Martínez, A. Lastras-Martínez, "Dots-in-a-Well InGaAs Based Laser Probed by Photoreflectance-Anisotropy Spectroscopy", III Conference of University of Guanajuato, IEEE. (2009).

Miguel Angel Lastras Montaño, M. Mejía, L. F. Lastras-Martínez, J. Ortega- Gallegos, "Simulating Crystal Growth in GPU Parallel Machines", (en proceso de publicación en las memorias de: ISUM 2010, Transforming Research through High Performance Computing, Guadalajara, Jalisco.)

O. Núñez-Olvera, R. E. Balderas-Navarro, J. Ortega-Gallegos, L. E. Guevara-Macías, A. Armenta-Franco, M. A. Lastras-Montaño, L. F. Lastras- Martínez and A. Lastras-Martínez. A rapid reflectance-difference spectrometer for real-time semiconductor growth monitoring with sub- second time resolution. AIP Review of Scientific Instruments. 83, 103109 (2012).

A. Lastras-Martínez, J. Ortega-Gallegos, L.E. Guevara-Macías, O. Núñez- Olvera, R. E. Balderas-Navarro, L. F. Lastras-Martínez, L. A. Lastras- Montaño and M. A. Lastras-Montaño. Real-time reflectance-difference spectroscopy of GaAs molecular beam epitaxy homoepitaxial growth. AIP Materials 2, 032107 (2014).

A. Lastras-Martínez, J. Ortega-Gallegos, L.E. Guevara-Macías, O. Núñez- Olvera, R. E. Balderas-Navarro, L. F. Lastras-Martínez, L. A. Lastras Montaño and M. A. Lastras-Montaño. Reflectance-difference spectroscopy as a probe for semiconductor epitaxial growth monitoring. Journal of Crystal Growth 425, 21-24 (2015).

D. Ariza-Flores, J. Ortega-Gallegos, O. Núñez-Olvera, R. E. Balderas- Navarro, L. F. Lastras-Martínez, L.E. Guevara-Macías and A. Lastras- Martínez. A multichannel reflectance anisotropy spectrometer for epitaxial growth monitoring. Measurement Science and Technology, 26, 115901 (2015).

A. Armenta-Franco, A. Lastras-Martínez, J. Ortega-Gallegos, D. Ariza- Flores, L.E. Guevara-Macías, R.E. Balderas-Navarro, L.F. Lastras-Martínez. Real-time reflectance-difference spectroscopy during the epitaxial growth of InAs/GaAs/(001). Applied Surface Science (2016).

J. V. González-Fernández1, R. Herrera-Jasso, N. A. Ulloa-Castillo, J. Ortega-Gallegos, R. Castro-García, L. F. Lastras-Martínez, A. Lastras- Martínez, R. E. Balderas-Navarro, T. Mozume, S. Gozu. Residual electric fields of InGaAs/AlAs/AlAsSb (001) coupled double quantum wells structures assessed by photoreflectance anisotropy. Int. J. Mod. Phys. B 30, 1550248 (2016).


Artículos en proceso de publicación

J. Ortega-Gallegos, A. Lastras-Martínez, L. F. Lastras-Martínez, and R. E. Balderas-Navarro "Reflectance Anisotropy of GaAs(001)-(4 × 2) surface: roughness and strain effects". (En preparación).

L. E. Guevara-Macías, J. Ortega-Gallegos, A. Lastras-Martínez, L.F. Lastras-Martínez, and R.E. Balderas-Navarro. "Study of the roughness of Ga-rich GaAs(001) surface: RDS and STM measurements". (En preparación).


Dirección de Tesis

Maestria: 2

Doctorado: 1


Tesis en proceso

Doctorado: 1