Contiene la instalación de crecimiento por epitaxia en  fase líquida de las capas epitaxiales y estructuras en sistemas semiconductores III-V. Los procesos se realizan en el rango de temperaturas de 200 hasta 1100 oC en un reactor de cuarzo horizontal con un flujo de hidrógeno purificado por difusión a través de una celda de PD.  


Crecimiento de Cristales por LPE



Contacto: Dr. Andrei Gorbatchev

email: andre@cactus.iico.uaslp.mx