El Laboratorio de crecimiento de cristales cuenta con un sistema de crecimiento de capas epitaxiales mediante la técnica de Epitaxia en Fase Liquida dedicado al crecimiento se semiconductores III-V, con atención especial a los antimoniuros para aplicaciones en optoelectrónica, cuenta también con un sistema de tiramiento de lingotes monocristalinos mediante la técnica de Czochralski que permite crecer cristales con temperaturas de fusión hasta de 1000 ºC.



Sistema de crecimiento por Epitaxia en Fase Líquida




Sistema de crecimiento por Czochralski


Contacto: Dr. Francisco de Anda Salazar

email: fdeanda@cactus.iico.uaslp.mx